成果介绍
过渡金属硫族化合物单层是电或光控制自旋和谷自由度的理想材料。然而，光激发主要产生具有本征短寿命和自旋/谷弛豫时间的激子种类。
有鉴于此，近日，法国图卢兹大学Xavier Marie，Cedric Robert和巴黎综合理工学院Fabian Cadiz（共同通讯作者）等展示了n掺杂WSe2和WS2单层中驻留电子非常有效的自旋/谷光泵浦。实验观察到，使用连续波激光器和适当的掺杂和激发密度，负三重子双线表现出相反符号的圆偏振，三线态三重子的光致发光强度在圆激发下比线性激发大四倍多。该结果可以解释为使用圆光的驻留电子的大动态极化。这项工作朝着开发基于TMD MLs的谷电子器件迈出了重要的一步。
图文导读
图1. n掺杂WSe2中的激子态。
图2. n-WSe2中的实验观察。
图3. 自旋/谷泵浦机制。
图4. n-WS2中的实验观察。
文献信息
Spin/valley pumping of resident electrons in WSe2 and WS2 monolayers
(Nat. Commun., 2021, DOI:10.1038/s41467-021-25747-5)
文献链接：
https://www.nature.com/articles/s41467-021-25747-5
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