文章亮点：
1、实现了金属-半导体的欧姆接触
2、在单层MoS2上实现了零肖特基势垒高度、123 Ω μm的接触电阻和1135 μA/μm的ON态电流密度（分别是目前的最低值和最高值）
3、在不同的单层半导体上（如MoS2, WS2和WSe2）都可以形成良好的欧姆接触
半金属-半导体接触间隙态饱和的概念
原文刊载于【高分子科学前沿】公众号
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MIT/台积电联手《Nature》!
当金属材料与材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒，导致了较大的界面电阻。原子级厚度的二维半导体在实现高性能电子器件方面具有巨大的潜力。然而，由于金属-诱导-间隙态的存在，肖特基势垒从根本上导致了较高的接触电阻和较差的电流传递能力，制约了二维半导体晶体管的改进。
文章亮点：
1、实现了金属-半导体的欧姆接触
2、在单层MoS2上实现了零肖特基势垒高度、123 Ω μm的接触电阻和1135 μA/μm的ON态电流密度（分别是目前的最低值和最高值）
3、在不同的单层半导体上（如MoS2, WS2和WSe2）都可以形成良好的欧姆接触
半金属-半导体接触间隙态饱和的概念