香港理工郝建华/中科大陈仙辉今日《Nature,Materials​》,大规模生长厘米级高质量的少层黑磷薄膜

迄今为止,还没有关于厘米级少层BP薄膜大规模生长的报道。鉴于此,香港理工大学郝建华教授和中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授团队联合报道了一种可控的脉冲激光沉积策略,可以在厘米尺度上直接合成高结晶度和高均质性的少层BP。
2014年,黑磷(BP)作为二维材料领域的一颗新星横空出世,此后迅速引起了国内外科学界和工业界的广泛兴趣。由于具有非凡的物理性质,黑磷在诸多领域展现出广阔的应用前景:从最初的晶体管,到后来的光电子器件,再到催化、能源、生物医学等领域。一时之间,黑磷炙手可热,成为媲美石墨烯的“梦幻材料”。 然而,与应用前景形成鲜明对比的是,黑磷的实际应用一直面临着一个巨大的挑战,即如何可控地大规模生长少层BP薄膜。尽管近年来科学家们已经开发出多种制备少层BP的策略,但是常用的自上而下剥离得到的BP往往受到尺寸不均匀、形状不规则等因素的制约。虽然化学气相沉积(CVD)可以实现BP的自下而上的合成,但是也仅获得了横向尺寸达几十微米的少层BP薄膜。迄今为止,还没有关于厘米级少层BP薄膜大规模生长的报道。 鉴于此,香港理工大学郝建华教授和中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授团队联合报道了一种可控的脉冲激光沉积(PLD)策略,可以在厘米尺度上直接合成高结晶度和高均质性的少层BP。分子动力学(MD)模拟结果表明,与常规的热辅助蒸发不同,脉冲激光的使用可以促进物理蒸气内BP团簇的均匀分布(视频1),从而降低BP相的形成能,并实现了少层BP薄膜的大规模生长。研究团队进一步制造了基于BP膜的厘米级场效应晶体管(FET)阵列。结果发现,该少层BP FET阵列在载流子迁移率和电流开关比方面表现出诱人的电气特性,可与以前报道的微米级BP薄膜的性能媲美。该项工作为进一步开发基于少层BP的晶圆级电子和光电器件,为未来BP基半导体集成电路在信息产业中的应用奠定了基础。上述研究成果以“Large-scale growth of few-layer two-dimensional black phosphorus”为题,发表在《Nat. Mater.》上。

01精确可控的脉冲激光沉积工艺

通过使用块状单晶BP为源和具有新鲜剥落表面的云母片作为基材,研究团队利用PLD技术在超高真空室中实现了厘米尺度的BP薄膜的生长(图1a)。与常规的热辅助蒸发法相比,PLD技术可以通过控制激光脉冲数量来实现对BP薄膜厚度(即层数)的精确控制,且生长速率约为〜1.3 Å s-1。 由于云母片表面的超高均一性和在激光产生的物理蒸气中BP团簇的均匀分布,热力学上会优先单向生长单层的BP薄片,从而有利于形成连续的BP膜(图1c–e)。HAADF和EDX等测试手段表明,磷元素均匀分布在整个BP薄膜上(图1f,g)。

图1. 制造少层BP膜的可控PLD工艺的示意图。

02大规模生长的少层BP膜的连续性和均质性

随后,研究团队进一步采用XRD、电子背散射衍射(EBSD)和极化拉曼映射等测试手段来确定获得的BP膜的大面积连续性和均质性。 XRD分析表明,所制备的BP薄膜表现出典型的BP正交晶体结构,证实了BP薄膜具有高结晶度;EBSD映射结果发现,BP薄膜中没有观察到明显的边界或方位角旋转,这表明BP晶体的生长具有高度取向性,沿(010)方向;大面积极化拉曼映射图像进一步证实,BP晶粒具有高度均匀的晶体学取向,且在厘米尺度的样品上具有高度均匀的各向异性。以上结果表明,所获得的少层BP薄膜在厘米尺度上具有高度均匀的晶体取向。

图2. 少层BP膜的大面积连续性和均质性研究。

03大规模生长的少层BP膜的微观晶体结构

研究团队进一步采用HRTEM探究BP膜的微观晶体结构。测试结果表明, BP原子呈现高度有序排列,且在成膜后的没有观察到缺陷(图3a)。BP具有两种原子排列模式,晶格常数为3.30 Å的之字形和晶格常数为4.55Å的扶手椅方向,与BP晶体的正交晶体结构非常吻合。SAED进一步显示,BP具有典型四重对称性的正交晶格,这意味着所制备的BP晶体具有高度的均质性。此外,研究发现BP膜在大面积尺度上仍具有高度均一性(图3f)。这进一步证明了BP膜的大面积结构连续性。

图3. PLD工艺大规模生长的少层BP膜的原子特征。

04基于BP膜的厘米级FET器件

由于所生长的BP具有相当大的晶体尺寸,研究团队使用基于硬掩模的电子束沉积技术制造了厘米级尺寸的FET。通过使用离子液体作为栅极电介质,基于少层BP薄膜的FET表现出典型的p型传输行为,在空穴的场效应迁移率(μFE)和电流开关比方面具有出色的电气性能(图4d-e)。 值得注意的是,在所有BP样品中,厚度为〜5 nm的BP制备的FET器件具有最佳的场效应电传输特性,在295和250 K时载流子迁移率分别达到213和617 cm2V-1s-1。该电性能可与具有类似厚度的剥离或CVD生长的BP基FET媲美。更重要的是,与先前报道的小尺寸BP薄片相比,大规模生长的少层BP薄膜在厘米尺度上仍然具有高度均匀的电性能(图4f)。这一发现为BP薄膜在电子和光电领域的进一步应用奠定了基础。

图4. 基于厘米级少层BP的FET器件的电性能。

综上所述,研究团队提出了一种可控的快速PLD工艺,该工艺可在厘米级直接合成具有高结晶度和均质性的少层BP。在这项工作中,研究团队成功地演示了少层BP薄膜的大面积生长,其横向尺寸从以前报道的几十微米增加到了厘米级!值得注意的是,只要旋转多个靶而不破坏真空,PLD便具有有益于器件制造的诱人特性,包括可控的厚度,化学计量的增长,高增长率以及与多层异质结构的高度相容性。与通过其他方法制造的小得多的BP薄片相反,该工作为进一步开发基于BP的晶圆级电子和光电设备(如可扩展的集成设备阵列和信息系统)提供了更多的可能。

参考文献:

Wu, Z., Lyu, Y., Zhang, Y. et al. Large-scale growth of few-layer two-dimensional black phosphorus. Nat. Mater. (2021). https://doi.org/10.1038/s41563-021-01001-7

郝建华教授简介

郝建华,香港理工大学应用物理学系教授,InfoMat的副主编(Associate Editor) , Advanced Optical Materials的编委(Eitorial Board)。

郝建华教授本科、硕士和博士毕业于华中科技大学,并先后在华中科技大学,美国Penn State University,加拿大University of Guelph和香港大学从事研究和工作。2006年起,郝建华教授开始执教于香港理工大学。目前,郝教授发表过250多篇SCI国际杂志学术论文,包括以通讯作者发表在Wiley杂志Adv. Mater., Adv. EnergyMater., Adv. Funct. Mater., Angew.Chem. Int. Ed., Small等,并拥有多项美国专利。获得过“香港理工大学校长卓越表现/成就奖”,“纳米科学研究领先奖”, “TechConnect全球创新奖”和“日内瓦国际发明特别优异奖和金奖”等奖项。

郝教授目前主要研究兴趣包括(1)用于光电子,能源和生物医学的发光学和发光材料;(2)功能薄膜,二维层状材料和异质结。

课题组网页:http://ap.polyu.edu.hk/apjhhao/

原文刊载于【高分子科学前沿】公众号

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